反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
TVS管浪涌测试计算，TVS管浪涌选型
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿
